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PSMN015-60BS,118  与  IPB090N06N3 G  区别

型号 PSMN015-60BS,118 IPB090N06N3 G
唯样编号 A-PSMN015-60BS,118 A-IPB090N06N3 G
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 9mΩ
上升时间 - 40ns
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 86W 71W
输出电容 169pF -
栅极电压Vgs 3V 20V
典型关闭延迟时间 - 20ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 -
工作温度 175℃ -55°C~175°C
连续漏极电流Id 50A 50A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS3
输入电容 1220pF -
长度 - 10mm
Rds On(max)@Id,Vgs 14.8mΩ@10V -
下降时间 - 5ns
典型接通延迟时间 - 15ns
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥5.2387
400+ :  ¥4.4396
800+ :  ¥4.073
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN015-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN015-60BS_SOT404

¥5.2387 

阶梯数 价格
210: ¥5.2387
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